|
|
En la actualidad, la información que contienen la mayoría de
ordenadores, cámaras fotográficas, tarjetas de crédito o tarjetas de
transporte, entre otros, se guarda en forma de “ceros” y “unos”
definidos por la orientación del momento magnético (una pequeñísima
brújula) característica de los materiales ferromagnéticos que forman la
memoria (cobalto, hierro, níquel, etc.). Naturalmente, es extremadamente
peligroso acercar un imán a la tarjeta de memoria, ya que éste
reorientará el momento magnético los elementos de memoria y se perderá
la información almacenada.
Un equipo del Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona del CSIC,
en colaboración con laboratorios de los EEUU y de la Republica Checa, ha
demostrado que se puede usar otro tipo de materiales magnéticos,
denominados antiferromagnéticos, para almacenar información. El trabajo
se publica en el último número de la revista Nature Materials.
Los materiales antiferromagnéticos están constituidos por muchas
pequeñas “brújulas” (momentos magnéticos) que apuntan alternadamente en
direcciones opuestas, orientados según unas direcciones bien precisas en
el material y que no pueden ser perturbadas por imanes convencionales.
“Por eso, estos materiales son insensibles a campos magnéticos externos
y podrían constituir memorias muy robustas. Por la misma razón que no se
pueden modificar fácilmente con campos magnéticos, tampoco se pueden
escribir información en ellos”, señala el investigador del CSIC Josep
Foncuberta.
El experimento consiste en usar unos materiales que, con un ligero
cambio de temperatura fácilmente alcanzable y controlable, pasan de ser
antiferromagnéticos a ferromagnéticos. La información se escribe en la
fase ferromagnética, seleccionando una dirección de la magnetización
mediante la aplicación de un campo magnético. Después, los materiales se
enfrían y pasan a la fase antiferromagnética, en la que la orientación
de los momentos magnéticos (y, con ellos, la información) queda fijada.
Una simple lectura de la resistencia eléctrica permite discriminar en
qué dirección se encuentran los momentos magnéticos y por tanto se puede
leer la memoria. “Estos resultados abren nuevas perspectivas en el
diseño de memorias magnéticas, más robustas y seguras”, concluye el
investigador del CSIC.
Fuente: CSIC 2014.
Dr. Xavier Martí, Dr. Ignasi Fina , Dr. Carlos Frontera , Dr. Jian Liu ,
Dr. Peter Wadley , Dr. Qing He , Mr. Ryan Paull , Mr. James Clarkson ,
Dr. Josef Kudrnovsky , Dr. Ilja Turek , Dr. Jan Kunes , Dr. Jiun-Haw Chu
, Mr. Di Yi , Dr. Christopher Nelson , Dr. Long You , Dr. Elke Arenholz
, Prof. Sayeef Salahuddin , Prof. Josep Fontcuberta , Dr. Tomas
Jungwirth , Dr. Ramamoorthy Ramesh. Room-temperature antiferromagnetic
memory resistor. Nature Materials.
www.cci-calidad.com |
